成都泰格微波技术股份有限公司-9游会

泰格微电子的rf、微波和毫米波产品组合具有dc至100ghz的频率范围,提供涵盖整个信号链的各功能器件。微波芯片采用的工艺主要有gaas、sige bicmos、cmos和soi。传统采用的是gaas,其优点是rf性能好、击穿电压高,但缺点是成本高、无法集成数字电路。目前,业界越来越多的公司都看重sige bicmos、cmos和soi的发展,并不断加大研发投入,这3种硅基工艺在成本、易于集成方面具有先天优势,但在击穿电压方面还有挑战。泰格微电子有两条主要产品线:一是通用的微波毫米波元器件,如开关、衰减器、混频器、放大器、移相器以及频率源等等,主要采用gaas、gan、sige和soi实现;另外一条是定制化产品线,为客户量身定制比较复杂的、系统级产品。

公司现有放大器芯片级产品tgmc181型放大单片。该芯片的工作频段为12ghz~30ghz,相对带宽达85%,属于宽带放大器,其主要功能为实现信号的放大,可作为混频器的本振驱动,该芯片采用单电源供电,输入输出自带隔直,50ω匹配。我们有专业而完善的芯片设计团队,可根据客户需求承研各种频段的放大器芯片产品,满足客户的差异化需求。


●  放大器芯片产品可以根据客户需求,承研设计开发


●   产品频率范围覆盖12ghz~30ghz

●  工作温度覆盖:-55℃~ 85℃

●  存储温度覆盖:-65℃~ 150℃

●  芯片常温技术指标



最小值

典型值

最大值

最小值

典型值

最大值

最小值

典型值

最大值

最小值

典型值

最大值

单位

主要技术指标(ta=25℃)

工作频率

12~18

18~24

24~28

28~30

ghz

增益

13

16


14

17


13

16


12

15


db

输出p1db


15



16.5



16



16


dbm

噪声系数


9

11


7

9


6.5

8


7.5

9

db

输入驻波

11

14


10

12


5

14


4

7


db

输出驻波

11

13


7

12


5

7


4

5


db

电源

电流


101

135


101

135


101

135


101

135

ma

●  芯片高低温技术指标

高低温下增益相对常温增益变化量:≤2.5db,其他指标不作考核


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